深圳市明佳达电子有限公司IR推出《IRF6607》MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
| 品牌 | IR |
| 型号 | IRF6607 |
| 批次 | 05+ |
描述：
IRF6607将最新的HEXFET®功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET TM 封装相结合在封装中实现最低的导通电阻，其封装尺寸为SO-8，外形仅为0.7 mm。该DirectFET封装与电源应用，PCB组装设备和现有布局几何形状兼容气相，红外或对流焊接技术，当遵循应用说明AN-1035时制造方法和工艺。DirectFET封装允许双面冷却，以最大限度地提高热传递电力系统，将以前的最佳热阻提高80％。
IRF6607兼顾低电阻和低电荷以及超低封装电感，以减少导电性和转换损失。降低的总损耗使该产品成为高功率DC-DC转换器的理想选择最新一代处理器，工作频率更高。IRF6607针对参数进行了优化在同步降压转换器中至关重要，包括Rds（on），栅极电荷和Cdv / dt引起的抗扰度。该IRF6607为同步FET应用提供特别低的Rds（on）和高Cdv / dt抗扰度。
特点：
专用MOSFET
适用于CPU核心DC-DC转换器
低传导损耗l 高Cdv / dt免疫力
薄型（<0.7 mm）
兼容双面冷却
与现有Surface兼容装载技术
规格
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 27A（Ta），94A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，7V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 3.3 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 75nC @ 4.5V
Vgs（最大值） ±12V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6930pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 3.6W（Ta），42W（Tc）
工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 DIRECTFET™ MT
封装/外壳 DirectFET™ 等容 MT
有意者请联系陈先生：
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电话：13410018555
公司首页：www.hkmjd.com
实物图：IRF6607
