供应英飞凌GaN产品：GaN双向开关、GaN控制器、GaN智能器件、GaN晶体管

 

深圳市明佳达电子有限公司作为国内领先的电子元器件供应服务商，凭借其强大的供应链网络和专业的行业服务能力，为客户提供稳定可靠的原装产品。

 

主营产品包括：5G 芯片、新能源IC、物联网IC、蓝牙IC、车联网IC、车规级IC、通信IC、人工智能IC，存储器IC、传感器IC、微控制器IC、收发器IC、以太网IC、WiFi芯片、无线通信模块、连接器等电子元器件。

 

供应上具有以下核心优势：

原厂直供与质量保证：所有产品均通过授权渠道采购，确保100%原装正品，提供完整的原厂批次编号。

规模化采购与成本优化：凭借与多家知名品牌的深度合作及大批量采购优势，能够显著降低电子元器件的综合成本，为客户提供极具竞争力的价格。

灵活快速的交付能力：深圳中央仓库与香港保税仓库协同运作，支持48小时快递配送，紧急订单可实现24小时内国内发货。

 

 

氮化镓（GaN）

CoolGaN™ – 离散器件和集成解决方案，为消费电子、工业和汽车应用提供最高效率和功率密度。

 

英飞凌GaN双向开关产品及应用

英飞凌CoolGaN™系列中的双向开关(BDS)产品代表了GaN技术在功率转换领域的重要创新方向。英飞凌40V双向开关器件采用先进的GaN-on-Si工艺制造，集成了两个高性能GaN HEMT(高电子迁移率晶体管)，可在单一封装内实现双向电流控制，显著简化了电路设计并提高了系统可靠性。这类器件具有极低的导通电阻(典型值1.1mΩ~2.3mΩ)和超快的开关速度，能够支持高达2MHz的工作频率，是传统硅基MOSFET性能的5-10倍，特别适合需要高频高效运作的应用场景。

 

GaN双向开关的核心技术优势在于其无体二极管反向恢复特性。与硅基器件不同，GaN器件在反向导通时不会产生反向恢复电流，这从根本上消除了传统MOSFET体二极管反向恢复带来的开关损耗和EMI问题。英飞凌的CoolGaN™双向开关还采用了创新的栅极驱动技术，确保器件在高频开关条件下的稳定性和可靠性，同时简化了驱动电路设计。这些特性使得GaN双向开关在同步整流、电机驱动H桥、无线充电等需要双向能量流动的应用中表现出色。

 

英飞凌GaN控制器与智能器件解决方案

英飞凌的GaN控制器产品线包括独立的栅极驱动器和高集成度的智能功率模块(IPM)，这些器件针对GaN功率器件的独特特性进行了优化，能够充分发挥GaN技术的高频高效优势。特别值得一提的是NV6133A这类集成GaN开关和驱动器的智能功率IC，它采用GaNSense™技术，实现了无损电流采样和全面的保护功能，大幅简化了系统设计并提升了可靠性。

 

GaNFast™电源IC是英飞凌GaN控制器产品中的明星系列，如NV6133A芯片内部集成了高性能GaN开关管和驱动器，支持10至30V的宽VCC范围，可编程的开启dV/dt，并提供200V/ns的dV/dt抗扰度7。该器件具有800V的瞬态电压等级和700V的连续电压等级，导通电阻仅为330mΩ，支持高达2MHz的操作频率。其集成的GaNSense™技术提供了短路保护、过温保护和自主低电流待机模式等智能功能，消除了传统设计中取样电阻的功率损耗，进一步提升了系统效率和可靠性。

 

英飞凌GaN晶体管系列

英飞凌的GaN晶体管产品线覆盖了从中压到高压的广泛应用需求，包括CoolGaN™ G3(中压)、CoolGaN™ G5(高压)以及工业用IGT系列在内的全系列GaN晶体管产品。这些器件采用先进的8英寸晶圆工艺制造，大幅提升了功率密度、开关频率和热管理性能，适用于从消费电子到工业电源的前沿应用。

 

CoolGaN™ G3系列针对中压应用优化，电压范围覆盖40V至120V，采用标准化的RQFN 5x6和3.3x3.3封装，与传统的硅基MOSFET引脚兼容，便于客户进行设计迁移。该系列器件具有极低的导通电阻(1.1mΩ~2.3mΩ)和优异的热循环稳定性，特别适合高频开关应用。在USB-C快充设计中，G3系列GaN晶体管可实现95%以上的效率，同时将电源体积缩小50%以上；在电机驱动和电信电源中，其高频特性有助于减小滤波元件体积并提升控制带宽。

 

CoolGaN™ G5系列是英飞凌针对高压应用推出的旗舰产品，电压等级达650V，采用创新的GIT(栅极注入晶体管)技术，相比前代产品效率提升3%~5%3。G5系列GaN晶体管的开关损耗极低，支持数百kHz至MHz级的工作频率，同时具有出色的dv/dt抗扰度和短路耐受能力。在光伏逆变器应用中，G5器件可实现超过99%的转换效率，显著提升发电系统的能量产出；在服务器电源和电动汽车车载充电机(OBC)中，其高功率密度特性有助于实现更紧凑的系统设计34。