明佳达电子 现货供应 Infineon OptiMOS™ 6 40 V N 沟道功率 MOSFET
| 型号 | BSC059N04LS6 |
| 年份 | 21+ |
| 封装 | PG-TDSON-8 |
一、产品描述
BSC059N04LS6 采用英飞凌最新 OptiMOS™ 6 技术，在 40 V 等级中实现了业内领先的低导通电阻 (RDS(on)) 与超低栅极电荷 (Qg) 组合，专为高效率、高功率密度应用设计。器件以 SuperSO8 5 × 6 mm 贴片封装供货，适合表面贴装大批量生产 。
二、核心特性
• RDS(on) 典型值 0.59 mΩ（VGS=10 V, ID=60 A），比上一代降低约 30 %
• 优值系数 (FOM) Qg×RDS(on) 改善 29 %，Qgd×RDS(on) 改善 46 %，显著降低开关损耗
• 逻辑电平栅极驱动 (4.5 V 即可完全导通)，兼容 5 V/3.3 V MCU 直接驱动
• MSL1 湿度敏感等级，-55 °C 至 +175 °C 工作结温，满足 AEC-Q101 汽车级可靠性
• 无卤素、无铅，符合 RoHS 指令
三、产品属性
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制造商
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Infineon Technologies
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系列
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OptiMOS™
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包装
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卷带（TR）
剪切带（CT）
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零件状态
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在售
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FET 类型
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N 通道
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技术
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MOSFET（金属氧化物）
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漏源电压（Vdss）
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40 V
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25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
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17A（Ta），49A（Tc），59A（Tc）
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驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
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4.5V，10V
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不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
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5.9 毫欧 @ 50A，10V
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不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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2.3V @ 250µA
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不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
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9.4 nC @ 10 V
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Vgs（最大值）
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±20V
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不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
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830 pF @ 20 V
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功率耗散（最大值）
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3W（Ta），38W（Tc）
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工作温度
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-55°C ~ 175°C（TJ）
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四、典型应用
• 服务器、台式机、电信电源同步整流
• 无线快充 & USB-PD 快充电源
• 电机驱动、电池保护、OR-ing 热插拔
• 汽车 48 V 轻混系统 DC-DC
五、明佳达现货优势
• 深圳/香港两地仓库，≥10 k pcs 现货，可拆盘
• 样品 1 pcs 起，当天顺丰；批量 1-2 天交期
• 支持卷带/托盘包装，满足 SMT 产线
如有需求，请立即联系明佳达电子：
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