明佳达电子：现货供应【onsemi】MOSFET晶体管、IGBT晶体管、SiC MOSFET
深圳市明佳达电子有限公司——深耕电子元器件供应链多年，凭借强大的渠道资源、专业的团队和对市场需求的精准把握，长期供应【onsemi】MOSFET晶体管、IGBT晶体管、SiC MOSFETs等产品，公司致力于为客户提供型号齐全、品质保障、现货供应的一站式采购服务。
明佳达现货供应以下关键安森美（onsemi）功率器件系列及具体型号：
1. MOSFET 晶体管：
安森美的 MOSFET 产品线覆盖了从低压到高压、从标准应用到汽车级应用的广泛需求，以其低导通电阻、快速开关速度和坚固耐用性著称。
具体现货型号示例 (持续更新中)：
低压/中压MOSFET (用于电源转换、电机驱动等)：
NTMFS5C628NL (30V, 100A, SO8-FL)
FDBL86062 (60V, 100A, Power56)
FDMS86255 (100V, 40A, Power56)
FDMS86101 (100V, 85A, Power56)
FDD8424H (30V, 双N沟道, 20A, SO8)
高压MOSFET (用于开关电源、照明等)：
FCPF190N60 (600V, 24A, TO-220F)
FCPF11N60 (600V, 11A, TO-220F)
FCP190N60 (600V, 24A, TO-220)
STF19NM60N (600V, 19A, TO-220FP)
2. IGBT 晶体管：
安森美的 IGBT 结合了 MOSFET 的栅极控制特性和双极型晶体管的大电流处理能力，特别适合中高功率、中高频率应用，提供出色的效率与可靠性。
具体现货型号示例 (持续更新中)：
场截止沟槽型 IGBT (Field Stop Trench, 高效)：
FGY75T65SPD (650V, 75A, TO-247)
FGY120T65SPD (650V, 120A, TO-247)
NGTB40N120FL3WG (1200V, 60A, TO-3P)
NGTB50N120FL3WG (1200V, 75A, TO-3P)
NPT IGBT (非穿通型，坚固耐用)：
HGTG20N60A4D (600V, 40A, TO-247)
3. SiC MOSFET 晶体管：
安森美是碳化硅技术的领导者之一。SiC MOSFET 凭借其超高的开关频率、极低的开关损耗、优越的高温性能和更高的系统效率，正在快速革新电力电子系统，尤其是在要求严苛的高功率密度和高效率应用中。
具体现货型号示例 (持续更新中)：
第二代 (M1) 及 第三代 (M3) SiC MOSFET：
NTBG020N090SC1 (900V, 45A, TO-247-3L) - M3系列，高性能
NTBG040N090SC1 (900V, 72A, TO-247-3L) - M3系列
NTHL040N090SC1 (900V, 72A, TO-247-4L) - M3系列，开尔文源极连接
NTBG022N090SC1 (900V, 45A, D2PAK-7L) - M3系列，表面贴装
NTHL022N090SC1 (900V, 45A, D2PAK-7L) - M3系列，开尔文源极，表面贴装
NTHL080N120SC1 (1200V, 93A, TO-247-4L) - M3系列，开尔文源极
NVHL080N120SC1 (1200V, 93A, TO-247-4L) - M3系列，车规级
SiC 模块： 明佳达也供应安森美SiC功率模块，如NXH系列等，用于更高功率应用。
如需Onsemi 功率器件或其他电子元器件产品，可通过以下方式联系明佳达电子：
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电话：13410018555
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