供应Onsemi（安森美）MOSFET晶体管、IGBT晶体管、碳化硅 (SiC) MOSFET
深圳市明佳达电子有限公司——长期供应Onsemi（安森美）MOSFET晶体管、IGBT晶体管、碳化硅 (SiC) 等产品，支持小批量至大规模订单。公司拥有多达100万种库存优势型号，能够快速响应客户需求，减少等待时间。
以下是明佳达电子供应的 Onsemi（安森美）相关分立器件，涵盖 MOSFET晶体管、IGBT晶体管、碳化硅 (SiC) 器件等核心产品线，相关信息如下所示：
一、MOSFET 晶体管
Onsemi MOSFET 以 低导通电阻（Rds(on)）、高开关速度 和 优异热性能 领先业界，覆盖低压至高压应用场景：
1. 低压MOSFET（<100V）：
NTMFS5C670NL（40V, 60A）：适用于同步整流、DC-DC转换。
FDMS86181（100V, 120A）：汽车级器件，用于电机驱动。
2. 中高压MOSFET（500V-900V）：
FDPF51N25（250V, 51A）：工业电源、UPS系统优选。
NTHL040N120SC1（1200V, 40A）：超级结MOSFET，光伏逆变器核心器件。
优势：优化EMI特性，TO-Leadless等封装提升功率密度。
二、IGBT 晶体管
Onsemi IGBT 产品专注于 高能效、低损耗，适配变频驱动与高功率系统：
1. 分立IGBT：
NGB8207BN（600V, 20A）：变频家电、小型工业驱动器。
2. IGBT模块：
NXH400T120L3Q2（1200V, 400A）：汽车主驱逆变器、大功率工业设备。
FGA60N65SMD（650V, 60A）：焊机、不间断电源（UPS）。
优势：Field Stop 技术降低导通损耗，集成温度监测功能。
三、碳化硅（SiC）器件
Onsemi SiC 技术引领 下一代功率革新，突破硅基器件极限：
1. SiC MOSFET：
NTBG022N170SC1（1700V, 22mΩ）：光伏逆变器、储能系统。
NVHL080N120SC1（1200V, 80mΩ）：EV充电桩、服务器电源。
2. SiC 二极管：
FFSH40120ADN（1200V, 40A）：PFC电路、LLC谐振转换器。
优势：开关损耗降低 70%，系统效率提升至 99%+，支持200℃高温运行。
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