明佳达电子作为全球领先的电子元器件分销商，长期稳定供应Nanya（南亚）原厂正品NT5AD512M16C4-HR DDR4 DRAM内存芯片。该产品采用FBGA-96封装，单颗容量8Gb（512M×16），工作电压1.2V（1.14V~1.26V），支持高速数据传输，广泛应用于汽车电子、服务器、工业控制及消费电子等领域。
NT5AD512M16C4-HR属于第四代双倍数据率同步动态随机存储器（DDR4 SDRAM），相较于DDR3，具有更高带宽、更低功耗的特点，是当前高性能计算、AI服务器及智能终端设备的主流存储解决方案。
核心特性与参数
1. 高性能存储架构
8Gb容量，16位数据位宽，适用于高带宽应用场景。
DDR4技术，数据传输速率优于DDR3，支持2133MT/s至3200MT/s（具体速率需匹配控制器）。
1.2V低工作电压，相比DDR3（1.5V）降低20%功耗，优化系统能效。
2. 汽车级与工业级可靠性
工作温度范围：0°C~95°C（TC），部分批次支持扩展工业温度（-40°C~95°C）。
符合JEDEC标准，确保长期稳定运行。
抗干扰设计，适用于汽车电子（如车载信息娱乐系统、ADAS）及工业自动化设备。
3. 封装与兼容性
FBGA-96封装（8mm×10mm），适合高密度PCB布局。
卷带包装（Tape & Reel），便于SMT自动化贴装。
参数
容量：8Gb（512M×16）
位宽：x16
电压：1.2V（1.14V~1.26V）
封装：FBGA-96 紧凑设计，适合空间受限应用
温度范围：0°C~95°C（可扩展-40°C~95°C）适应汽车与工业严苛环境
对于 Nanya NT5AD512M16C4-HR DDR4 DRAM 内存，明佳达电子提供原厂正品保证，确保产品的质量和性能符合国际标准。公司拥有丰富的库存和完善的供应链体系，能够快速响应客户的订单需求，提供及时的交货服务。
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