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供应 UJ3C065080B3:EliteSiC™ 650V/25A 碳化硅(SiC)级联JFET功率器件(D2PAK-3封装)

深圳市明佳达电子有限公司长期供应 UJ3C065080B3:EliteSiC™ 650V/25A 碳化硅(SiC)级联JFET功率器件(D2PAK-3封装),提供原装正品,现货供应,货源充足,立即咨询!

UJ3C065080B3

产品概述

UJ3C065080B3 是一款高性能碳化硅(SiC)级联JFET,采用 D2PAK-3(TO-263-3)封装,具有 650V 耐压、80mΩ 导通电阻和 25A 连续漏极电流,适用于电动汽车(EV)、工业电源、光伏逆变器、储能系统 等高效率功率转换应用。

该器件结合了 SiC JFET 的低开关损耗和标准MOSFET栅极驱动兼容性,无需复杂驱动电路,即可实现 高频、高效率 的功率开关设计。

关键特性

超低导通电阻:80mΩ(典型值) @ 12V V<sub>GS</sub>,减少传导损耗。

高速开关性能:

上升时间 11ns,下降时间 6ns,优化高频应用效率。

低栅极电荷(Q<sub>g</sub> = 51nC),降低驱动损耗。

卓越反向恢复特性:SiC JFET 结构提供 极低 Q<sub>rr</sub>,减少开关损耗。

宽温度范围:-55°C ~ +175°C,适用于严苛环境。

标准MOSFET驱动兼容:V<sub>GS</sub> = ±25V,可直接替换传统Si MOSFET。

AEC-Q101 认证,适用于汽车电子应用。

技术参数

型号:UJ3C065080B3

封装:D2PAK-3(TO-263-3)

FET类型:N沟道 SiC 级联JFET

漏源电压:650V

连续漏极电流:25A(@25°C)

导通电阻:80mΩ(典型值)@12V, 25°C

栅极电荷:51nC @15V

输入电容:1500pF @100V

工作温度:-55°C ~ +175°C

符合标准:AEC-Q101、RoHS

典型应用

电动汽车(EV):车载充电器(OBC)、DC-DC转换器。

工业电源:服务器电源、电信基站电源、不间断电源(UPS)。

光伏逆变器:提高太阳能转换效率,减少能量损耗。

储能系统(ESS):电池管理系统(BMS)、双向DC-AC转换。

如需报价或更多产品信息,请联系陈先生:

QQ:1668527835

电话:+86 13410018555

邮箱:chen13410018555@163.com / sales@hkmjd.com

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点击数:0 | 更新时间:2025-06-16 16:33:57
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