IPB65R110CFDA：英飞凌650V汽车级N沟道功率MOSFET（CoolMOS™ CFDA系列）

明佳达电子供应汽车级 MOSFET：IPB65R110CFDA 产品详情

产品概述

IPB65R110CFDA 是一款汽车级 MOSFET，由英飞凌（Infineon）生产，采用 D2PAK 封装形式，属于 CoolMOS™ CFDA 系列。该产品具有 650V 的耐压能力、N 沟道特性和最大 110 毫欧的导通电阻，专为汽车电子应用设计，能够满足汽车系统对功率半导体的严苛要求。

产品特性

• 高耐压能力 ：额定电压 650V，能够承受汽车电气系统中的高瞬态电压，确保在各种工作条件下稳定运行。
• 低导通电阻 ：最大导通电阻仅为 110 毫欧，在高电流应用中可显著降低功耗，提高系统效率，减少散热需求。
• N 沟道设计 ：具备快速开关特性，适用于多种汽车电子电路中的开关应用，如电机驱动、DC-DC 转换器、负载开关等。
• AEC-Q101 认证 ：符合汽车电子委员会（AEC）的 Q101 标准，确保在汽车环境下的可靠性，包括高温、高湿度、机械振动和冲击等恶劣条件。
• D2PAK 封装 ：具有良好的散热性能和电气性能，适合高功率密度的汽车应用，安装方便，易于集成到汽车电子系统中。

优势

• 高可靠性 ：通过严格的汽车级认证，可在汽车全生命周期内稳定工作，减少因器件故障导致的维修和更换成本。
• 高效能表现 ：低导通电阻和快速开关能力，可提高汽车电子系统的效率，延长电池续航时间，降低能源消耗。
• 宽工作范围 ：适用于多种汽车电子应用场景，包括但不限于车载充电机、电动助力转向系统（EPS）、电子刹车系统、空调压缩机驱动等。
• 出色热性能 ：D2PAK 封装形式能够有效散热，确保在高功率工作状态下稳定运行，降低热管理设计难度。

技术参数

• 型号：IPB65R110CFDA
• 品牌：Infineon
• 封装：D2PAK（TO-263-3）
• 极性：N沟道
• 漏源电压：650V
• 连续漏极电流：31.2A（@25°C）
• 导通电阻： 110mΩ @12.7A, 10V
• 栅极电荷： 118nC @10V
• 开关时间：上升 11ns / 下降 6ns
• 功率耗散：277.8W（@25°C）
• 工作温度：-40°C ~ +150°C
• 符合标准：AEC-Q101、RoHS

典型应用

汽车电子：

• 48V 轻混系统（MHEV）
• 车载充电器（OBC）
• DC-DC 转换器

工业电源：

• 服务器/电信电源
• 太阳能逆变器
• HID 照明驱动

消费电子：

• 大功率适配器
• 无线充电模块

明佳达电子提供 IPB65R110CFDA 现货， 原厂正品保障，支持 1-3 天快速交付。

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