明佳达电子现货供应：TI LM5108DRCR 110V半桥栅极驱动器
2.6A峰值拉电流｜11ns超快开关｜工业级-40℃~125℃｜10-VSON小体积封装
封装：VSON-10
类型：半桥栅极驱动器
核心价值：LM5108DRCR——高频驱动效率提升15%+，直驱100A级MOSFET，消除外推电路成本
一、描述详情
LM5108DRCR是德州仪器（TI）推出的高压半桥驱动器，专为N沟道MOSFET/IGBT设计，具备独立高低侧通道控制能力。其110V高压浮动通道可耐受负压瞬变，裸焊盘（3x3mm VSON）封装优化散热路径，适用于空间受限的高密度电源设计。
二、LM5108DRCR 规格参数详解
供电电压：5.5V ~ 16V，兼容3.3V/5V MCU控制逻辑
峰值输出电流：灌入1.6A / 拉出2.6A，加速关断，降低开关损耗20%
开关速度：上升时间11ns / 下降时间8ns，支持500kHz高频开关（LLC谐振）
工作温度：-40°C ~ 125°C（结温），工业电机/车载系统全场景覆盖
输入逻辑：CMOS/TTL兼容，直连DSP/PWM控制器无需电平转换
击穿保护：110V总线耐压，抑制功率管开关电压尖峰
封装形式：10-VSON（3x3mm 裸露焊盘），热阻θJA=40℃/W，优化散热
三、LM5108DRCR 关键特性
LM5108DRCR 可驱动两个采用高侧/低侧配置的 N 沟道 MOSFET
采用 3mm × 3mm 封装
互锁或跨导保护
启用/禁用功能
HS 引脚上接受的绝对最大负电压 (–7V)
5V 典型欠压锁定
20ns 典型传播延迟
1000pF 负载时的上升时间为 11ns，下降时间典型值为 8ns
1ns 典型延迟匹配
2.6A 灌电流，1.6A 拉电流输出
绝对最大启动电压为 110V
禁用时消耗的电流很低 (7µA)
集成式自举二极管
【明佳达电子】长期供应TI（LM5108DRCR）具有使能和互锁功能的 2.6A、110V 半桥栅极驱动器，如需获取更多有关 LM5108DRCR 的产品信息或采购样品，欢迎联系明佳达电子。
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