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全面供应(ROHM)SiC (碳化硅) 肖特基二极管/MOSFET/功率模块 | 明佳达电子

 碳化硅(SiC)功率器件作为第三代半导体的核心代表,正在彻底变革电力电子系统的效率与功率密度极限。在这一技术浪潮中,深圳市明佳达电子有限公司凭借其成熟的供应链体系与专业技术服务能力,成为ROHM公司全系列SiC功率器件在中国市场的关键供应渠道,为工业、汽车及新能源领域客户提供从分立器件到模块化解决方案的一站式服务。

 

一、SiC (碳化硅) 肖特基二极管

肖特基势垒二极管(SBD)的总容性电荷(Qc)较小,能够在实现高速开关操作的同时减少开关损耗。因此,它们被广泛用于电源的PFC电路中。此外,与硅基快恢复二极管的trr会随温度的升高而增加不同,碳化硅器件可保持稳定的特性,因而性能更佳。

 

二、SiC(碳化硅)MOSFET

SiC MOSFET原理上在开关过程中不会产生拖尾尾电流,可高速运行且开关损耗低。低导通电阻和小型芯片尺寸造就较低的电容和栅极电荷。此外,SiC还具有如导通电阻增加量很小的优异的材料属性,并且有比导通电阻可能随着温度的升高而上升2倍以上的硅(Si)器件更优异的封装微型化和节能的优点。

 

三、SiC(碳化硅)功率模块

将SiC MOSFET和SBD集成为全SiC功率模块,比传统的IGBT模块大幅降低了开关损耗。ROHM SiC模块使得100kHz以上的高频操作成为可能。这提高了用于感应加热和混合动力存储系统的高频电源等工业设备的效率。

 

四、明佳达电子供应链与服务优势

作为ROHM的合作伙伴,明佳达电子构建了覆盖器件供应、设计支持及库存优化的全链条服务体系:

百万级库存保障:深圳与香港双仓储网络,支持当日下单、次日达物流时效。

全生命周期服务:

前端设计支持:提供LTspice仿真模型及参考设计。

后端库存回收:专业团队评估ROHM SiC器件(如SCT3080KR/BSM模块),回收价可达新品50-75%。

 

结语

在第三代半导体产业爆发式增长的今天,明佳达电子通过整合ROHM尖端SiC技术与本土化供应链服务,正成为推动中国高端制造升级的关键力量。无论是追求98%+效率的新能源系统设计,还是满足AEC-Q101标准的车规级方案,明佳达电子以百万级现货库存与专业技服团队,确保客户在SiC技术革命中赢得先机。

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