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三星电子计划在 HBM4 世代为客户开发多样化定制 HBM 内存

 7 月 10 日消息,综合韩媒 The Elec 和 ZDNET Korea 报道,三星电子在昨日举行的三星晶圆代工论坛 & SAFE 论坛 2024 韩国首尔场上表示,定制 HBM 预计在 HBM4 世代成为现实。

 

三星电子存储部门新事业企划组组长 Choi Jang-seok 称:“我们看到 HBM 架构正在发生巨大变化。我们的许多客户正在从传统的通用 HBM 转向定制产品。”

 

他补充道:“定制 HBM 将在 PPA(IT之家注:性能 Performance、功耗 Power 和面积 Area)方面提供与标准产品不同的选择,带来显著价值”。

 

Choi Jang-seok 具体介绍了两种可能的定制 HBM 形式:

• 不使用现有 2.5D 封装方案中必需的中介层 (Interposer) 和基础裸晶 (Base Die),直接将 HBM 芯片 3D 集成在计算 SoC 上,可简化从计算芯片到 HBM 的数据路径,降低芯片功耗和占地面积,这类似于之前展示过的 SAINT-D;

• 将内存的 I/O 接口和控制器转移到 HBM 内存的 Base Die 上,为计算芯片留出更多用于逻辑电路的空间。

 

Choi Jang-seok 还提到三星电子正在开发单堆栈达 48GB 的大容量 HBM4 内存,预计明年投产。

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点击数:0 | 更新时间:2024-07-10 13:41:27
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