明佳达公司供应晶体管 GTVA262701FA-V2-R2 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 270W GaN HEMT 48V 2496 to 2690MHz
功能特点
• SiC HEMT 氮化镓技术
• 输入匹配
• 典型脉冲 CW 性能：10 µs 脉宽、10% 占空比、2690 MHz、48 V
- P3dB 时的输出功率 = 270 W
- 效率 = 66
- 增益 = 18.1 dB
• 人体模型 1B 级（符合 ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 标准）
• 能够处理 10:1 VSWR @ 48 V、60 W（WCDMA）输出功率
• 无铅，符合 RoHS 规范
| 系列 | GaN | |
| 包装 | 卷带（TR） | |
| 零件状态 | 在售 | |
| 技术 | HEMT | |
| 频率 | 2.62GHz ~ 2.69GHz | |
| 增益 | 17dB | |
| 电压 - 测试 | 48 V | |
| 额定电流（安培） | - | |
| 噪声系数 | - | |
| 电流 - 测试 | 320 mA | |
| 功率 - 输出 | 270W | |
| 电压 - 额定 | 125 V | |
| 安装类型 | 表面贴装型 | |
| 封装/外壳 | H-87265J-2 | |
| 供应商器件封装 | H-87265J-2 | |
| 基本产品编号 | GTVA262701 |
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